Intel y Micron presentan la primer Memoria Flash NAND de 25 nanómetros

Intel Corporation y Micron Technology Inc anunciaron hoy la disponibilidad de la memoria flash NAND de 3 bits por celda (3bpc) con la tecnología de proceso de silicio de 25 nanómetros (nm), produciendo así el dispositivo NAND más pequeño y con mayor capacidad de la industria. Las empresas han enviado muestras del producto inicial a clientes selectos y esperan estar en plena producción a finales de año. 
El nuevo dispositivo de 3bpc con 64 gigabits (Gb) de memoria y tecnología de proceso de 25 nm ofrece una mayor eficiencia de costos y una mayor capacidad de almacenamiento para la competitiva tarjeta flash USB - SD (Secure Digital) y los mercados de electrónica de consumo. La memoria flash se usa principalmente para almacenar datos, fotos y otros contenidos multimedia para su uso en la captura y transferencia de datos entre dispositivos informáticos y digitales, como cámaras digitales, reproductores multimedia portátiles, cámaras de video digitales y todo tipo de computadoras personales. Estos mercados están bajo presión constante para proporcionar mayores capacidades a precios bajos.
 
Diseñado por la empresa IM Flash Technologies (IMFT), un emprendimiento conjunto para el desarrollo de flash NAND, la litografía de 64 Gb, u 8 gigabytes (GB), con tecnología de 25 nm almacena tres bits de información por celda, en comparación con la capacidad más reducida de las tradicionales de un bit ("Single-Level Cell") o dos bits (Multi-Level Cell). La industria también se refiere a la 3bpc como "Triple-Level Cell" (TLC.)